如何讓耳機(jī)插座做到輕、薄、小型化的技能

　　我們知道,要讓耳機(jī)插座縮小設(shè)備尺度,就會(huì)因散熱面積的減小而導(dǎo)致溫度升高，因而要設(shè)法下降功耗，或削減工作電流和電壓,以減小各個(gè)環(huán)節(jié)上的功率。

　　可是,耳機(jī)插座電路為提供負(fù)功率不能減小電壓和電流,為使耳機(jī)插座輕、薄、小型化,首要就得設(shè)法下降電路內(nèi)的損耗。雖然耳機(jī)插座電源以半導(dǎo)體耳機(jī)插座的通為基本原理，從理論上說(shuō)是低損耗的?？墒?半導(dǎo)體耳機(jī)插座究竟存在著開、關(guān)損耗，并且這種損耗與耳機(jī)插座頻率成正比關(guān)系。

　　雖然耳機(jī)插座電源里的變壓器、電抗器等磁性元件平和滑波形的電容器等都可經(jīng)過(guò)進(jìn)步開關(guān)頻率使其小型化,但這些元件的損耗也會(huì)因而增大。元器件損耗增大會(huì)引起溫度升高,為避免這種溫升又有必要增大尺度,這又會(huì)導(dǎo)致可靠性下降。耳機(jī)插座元器件中采用雙極性 晶體管制成的100kHz、用MOS-FET制成的500kHz電源，雖已實(shí)用化,但頻率有待于進(jìn)一步進(jìn)步。要進(jìn)步耳機(jī)插座頻率，就要削減耳機(jī)插座損耗,而要削減耳機(jī)插座損耗，就需要有高速開關(guān)元器件。然而,耳機(jī)插座速度進(jìn)步后,會(huì)受電路中散布電感和電容或二極管中存儲(chǔ)電荷的影響而產(chǎn)生浪涌或噪聲。這樣,不僅會(huì)影響供電電路,并且還會(huì)大大下降電源電路本身的可靠性。

　　為防止隨耳機(jī)插座通領(lǐng)所發(fā)作的電壓浪涌，可采用RC或LC緩沖器，而對(duì)由二極管存儲(chǔ)電荷所致的電流浪涌可采用非晶態(tài)等磁芯制成的磁緩沖器。不過(guò)，對(duì)1MHz以上的高頻,要采用諧振電路，以使開耳機(jī)插座的電壓或經(jīng)過(guò)開關(guān)的電流呈正弦波,這樣既可削減耳機(jī)插座損耗，一起也可操控浪涌的發(fā)作。這種耳機(jī)插座方法稱為諧振式耳機(jī)插座，采用這種方法不需大幅度進(jìn)步耳機(jī)插座速度就可在理論上把耳機(jī)插座損耗降到零,并且噪聲也小,已成為耳機(jī)插座電源高頻化的一種首要方法。

　　目前，耳機(jī)插座電源的小型化首要經(jīng)過(guò)高頻化和高密度化來(lái)完成。在高頻化技能解決了一系列順便問(wèn)題的一起，也下降了變壓器、濾波磁性元件及電容器等元件的尺度；在進(jìn)步耳機(jī)插座電源的高效率方面，已經(jīng)過(guò)對(duì)耳機(jī)插座晶體管、二極管等主耳機(jī)插座元件和鐵氧體磁芯、電解電容器等元件特性的改進(jìn)及電路的改進(jìn),下降了因高頻化而增大的損耗。其次,經(jīng)過(guò)混合IC等高密度裝置技能削減了元件數(shù)，并縮小了裝置空間。

　　總歸，耳機(jī)插座電源的任何一項(xiàng)技能都是一種高技能，往后將經(jīng)過(guò)表而裝置技能(SMT) 進(jìn)步裝置空間系數(shù)。一起，還將經(jīng)過(guò)開發(fā)諧振變換器等技能減小噪聲和下降開關(guān)損耗，以不斷推出更小型、輕量和高效率的開關(guān)電源。